Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.
Такие модули памяти ориентированы на флагманские смартфоны и планшеты. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Как отмечает производитель, они вдвое превышают плотность прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND, обеспечивая двойную ёмкость при сохранении занимаемого пространства.
Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это примерно в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.
Source: Ferra.ru