В Южной Корее арестованы десять бывших сотрудников Samsung Electronics. Их обвиняют в промышленном шпионаже в пользу китайской компании CXMT. Среди задержанных — пять ключевых разработчиков, включая бывшего руководителя.
По версии обвинения, утечка позволила CXMT создать первую в Китае микросхему DRAM по 10-нм техпроцессу в 2023 году. Считается, что украденная технология также заложила основу для разработки китайской компанией высокоскоростной памяти HBM2, серийное производство которой началось в 2024 году.
Прокуроры заявили, что ущерб для Samsung и экономики Южной Кореи оценивается в триллионы вон. По данным СМИ, один из фигурантов вручную переписал 12 страниц технической информации, чтобы избежать обнаружения систем безопасности.
Группа использовала подставные компании для передачи данных и часто меняла офисы, чтобы скрыться от слежки.