В пресс-службе Института физики полупроводников СО РАН сообщили, что ученые разработали технологию создания управляемых нанозон на поверхности кремния. Метод основан на контролируемом осаждении атомов олова, что позволяет формировать двумерные металлические и полупроводниковые структуры.
Исследование впервые продемонстрировало механизмы перераспределения олова по кремниевой поверхности и его взаимодействия с атомами кремния. Процесс осуществляется в вакуумных камерах с точным контролем концентрации атомов и скорости их осаждения.
Разработка открывает возможности для создания новых материалов электроники, включая высокочастотные приборы, сенсоры следующего поколения и элементы перспективной логики. Метод позволяет управлять поведением электронов и протеканием тока в нанометровых участках, что важно как для технологии производства полупроводников, так и для физики.