Группа исследователей из Колумбийского университета совершила значительный прорыв в производстве графена, открыв путь к его широкому использованию в различных технологиях. Их новый метод, названный бескислородным химическим осаждением из паровой фазы (OF-CVD), устраняет основное препятствие на пути крупномасштабного синтеза графена — загрязнение кислородом.
Графен, представляющий собой один слой атомов углерода, обладает такими замечательными свойствами, как сверхвысокая проводимость и прочность, что делает идеальным компонентом в электронике, хранении энергии, сенсорах и многом другом. Однако традиционные методы синтеза часто приводили к получению образцов графена с примесями, что препятствовало раскрытию его потенциала.
Новый метод OF-CVD тщательно контролирует количество кислорода, вводимого в процессе роста. Команда добилась стабильных результатов, преодолев проблему непостоянства в предыдущих методах. Исключение кислорода значительно ускорило процесс роста графена.
Была разработана простая модель для прогнозирования скорости роста на основе таких параметров, как температура и давление. Так, образцы, выращенные методом OF-CVD, демонстрировали свойства, практически идентичные самой чистой форме графена, что свидетельствует об их исключительном качестве.
В настоящее время команда работает над переносом графена на функциональные подложки, такие как кремний.